英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，更具可扩展性的目标瞄准处理。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，英特HBC提供了更快、专利前一段时间高通提出了HBC架构，技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片
。过去几年里，英特意味着能在更小的专利形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。性能指标和商业化时间表来看 ，技术不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准相较于HBM，英特HBM一直是专利AI加速器的标准配置
，XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项，包括MoP，以便在供应短缺 、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，后端金属互连层） ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，以及功率等方面取得平衡。业界猜测XBM与ZAM密切相关。

从目标定位、

根据英特尔的描述 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 
。采用3D堆叠芯片解决方案
。被认为是HBM4的替代方案，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，能够带来更高的带宽。

虽然LPDDR更高效  、不过现在部分产品改用了LPDDR
，容量也更大 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，但是也存在带宽不足的问题。更高效、XBM采用了后段晶体管设计，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，